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富士通为1Mb序列FRAM开发超小型封装

发布时间:2020-07-21 19:15:31 阅读: 来源:球磨机厂家

富士通半导体台湾分公司宣布成功开发及推出1Mb FRAM(铁电随机存取记忆体)的MB85RS1MT元件,并采用8针脚晶圆级晶片尺寸封装(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可让封装面积仅有目前8针脚SOP封装的23%,而厚度也约其五分之一,实现将拥有序列周边介面SPI的1Mb FRAM成为最小尺寸的FRAM元件。

本文引用地址: FRAM为穿戴式装置的理想记忆体元件,除了可让终端应用产品的整体积变小外,更可让FRAM在写入资料时将功耗降至最低,并提供更持久的电池续航力。

穿戴式市场是目前备受瞩目的焦点,并以惊人的速度快速拓展。穿戴式市场涵盖种类繁多,包括眼镜和头戴式显示器等配件、医疗装置如助听器和脉搏计等,以及可记录卡路里消耗量和运算资料的活动记录器。而这些众多装置的共同点,皆为须持续的即时记录资料。

一般的非挥发性记忆体技术,如EEPROM和快闪记忆体只能确保资料完整性最少可写入100万次,而富士通的FRAM技术则可将资料完整性大大提高到保证最少10兆次读/写次数,因此对于在储存即时记录资料特别理想。

为了更加利用FRAM的上述特性,富士通半导体如今为其MB85RS1MT产品线中的1Mb FRAM元件增添了全新WL-CSP封装。MB85RS1MT元件已采用业界标准的SOP封装,然而采用WL-CSP封装后,其体积仅3.09×2.28×0.33mm大小,而封装面积只有SOP封装的23%;换言之,即能比SOP封装的面积减少77%。此外,其厚度仅0.33 mm,相当于信用卡厚度的一半,而封装体积更比SOP封装小了95%。

低功耗作业是FRAM众多优点之一。相较于一般使用的EEPROM非挥发性记忆体,FRAM写入资料的速度也比较快,因此可在写入资料时大幅降低功耗。基于此原因,为了即时记录而需经常性写入资料的穿戴式装置在采用此FRAM后,可拥有更佳电池续航力和更小体积的优势。

采用WL-CSP封装的MB85RS1MT元件,对穿戴式装置厂商而言则是提供更小、更薄和功能更丰富的产品,并大幅延长电力。

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